光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30次的光刻，耗时占到IC生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。

光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射或是未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶，就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。

光刻胶又称光致抗蚀剂，是利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上的图形转移介质，其技术是光刻工艺的核心，而光刻胶的选择和光刻胶工艺的研发是一项非常漫长而复杂的过程。光刻胶需要与光刻机、掩模版及半导体制程中的许多工艺步骤相配合，因此一旦一种光刻工艺建立起来，便极少再去改变，因而光刻胶的研发突破难度较大。对于半导体制造商来说，更换既定使用的光刻胶需要通过漫长的测试周期。同时，开发光刻胶的成本也是巨大的，对于厂商而言量产测试时需要产线配合，测试需要付出的成本也是巨大的。

国产光刻机/胶发展机遇

行业现状：市场规模增量主要来自EUV，ASML垄断约90%光刻机市场

2020年全球光刻机销量413台，估计销售额130多亿美元均创历史新高，其中EUV光刻机销量31台占比8%，销售额55亿美元同比增长76%，占光刻机市场规模的比例为41%；ArF i销量80台占19%，销售额估计54亿美元同比下降7%，但占全球光刻机市场的40%。

竞争格局方面，ASML销售258台占比62%，Canon销售122台（KrF、i-line）占比30%，Nikon销售33台占比8%，按销售额计算，ASML、Canon、Nikon的光刻机销售额占比依次是91%、3%、6%。2020年，EUV目前仅有ASML制造供应

国内厂商开启替代步伐

光刻工艺包括气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查等环节，耗时约占整个硅片制造的50%。除光刻机外，光刻胶、气体、化学品、RTP、PVD设备等光刻机配套设施亦不可或缺。在国内相关产业链企业中，上海微电子日前宣称2022年交付28nm浸没式DUV光刻机，负责光刻机整机集成；ArF光源系统则由科益虹源负责；物镜系统方面，由国望光学承担；双工作台则由华卓精科负责研发；浸没系统则由启尔光电承担。从配套材料及设备来看，光刻胶方面，南大光电自产光刻胶已通过客户验证；设备方面，北方华创相关PVD/CVD设备已具备28/14nm技术；掩模版领域，华润微已具备0.13μStepper Mask生产能力。在国内光刻产业链逐步完善和突破下，预计下游需求的日益放大将进一步带动国产替代的加速。

而由于国内光刻技术的突破也让一批国内光刻企业崛起，经过深度分析给大家分享几家值得关注的光刻企业：

容大感光

国内感光电子化学材料龙头，生产的半导体光刻胶主要类型是g线、线正性/负性光刻胶最新开发的是高分辨(0.35微米 )线正性光刻胶、厚膜线正性/负性光刻胶等，主要应用于平板显示、发光二极管及集成电路等领域;公司掌握了PCB油墨、光刻胶等电子化学产品生产过程中的树脂合成、光敏剂合成、配方设计及制造等关键核心技术，拥有多项发明专利;互动平台披露i，现已完成了部分光致产酸剂产品的开发，该产品用于半导体光刻胶领域，目前正在积极开展下游市场推广工作。

同益股份
公司先后引进韩国SMS丙烯酸树脂产品、韩国KISCO光引发剂产品及DKC光敏剂等产品，涵盖LCD-TFT正性光刻胶，芯片及半导体行业i/gh线光刻胶，主要应用于中高端市场;公司引进的光刻胶基材，目前在下游客户持续测试中，部分客户有少量销售。

格林达

公司“光刻胶用显影液(极大规模集成电路用 )“项目隶属于国家科技重大专项项目，目前光刻胶用显影液已在国内品牌极大规模集成电路厂家进行产线测试。

上海新阳

自主研发的 KiF 光刻胶产品已在国内主流晶圆制造厂商处实现供货:集成电路制造用高端光刻胶产品正在开发中，包括逻和模拟芯片制造用的1线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 千法光刻胶，存储芯片制造用的 KrF 厚膜光刻胶，底部抗反射膜(BARC)等配套材料。

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